時(shí)間：2016-06-24 14:38:45 閱讀：7471 來源：
2016年6月24日，科技部高技術(shù)中心對外發(fā)布了，國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“納米科技”重點(diǎn)專項(xiàng)的2016年度項(xiàng)目布局。太赫茲研究院參與申報(bào)的CMOS兼容的太赫茲源，探測和陣列成像項(xiàng)目，獲得科技部審批通過。課題名稱“THz成像儀關(guān)鍵工藝技術(shù)及測試技術(shù)”，課題編號(hào)2016YFA0202204。
項(xiàng)目的參與單位有中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、天津大學(xué)、華訊方舟科技有限公司太赫茲研究院。項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)集中了國內(nèi)太赫茲領(lǐng)域的優(yōu)勢團(tuán)隊(duì)（院士3人、杰青4人、長江1人、國家千人1人、IEEE Fellow 2人、百人計(jì)劃4人、青年千人2人），依托“半導(dǎo)體超晶格國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室（吳南健團(tuán)隊(duì)）”、“集成光電子學(xué)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室（陳弘達(dá)團(tuán)隊(duì)）”、“紅外物理國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室（戴寧團(tuán)隊(duì)）”、“成像與感知微電子系統(tǒng)天津市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室（馬建國任主任）”和“深圳市太赫茲科技創(chuàng)新研究院（劉盛綱院士任院長）”開展項(xiàng)目研究。項(xiàng)目自2017年01月—2021年12月，共 60月，項(xiàng)目采用CMOS/BiCMOS 工藝來實(shí)現(xiàn)太赫茲源、探測和陣列成像，圍繞室溫CMOS 兼容工藝的太赫茲成像儀這樣一個(gè)重要應(yīng)用目標(biāo)，開展從基礎(chǔ)研究到應(yīng)用研究全產(chǎn)業(yè)鏈條研發(fā)，通過一系列的創(chuàng)新使我國在室溫CMOS太赫茲成像儀領(lǐng)域進(jìn)入國際一流行列。
